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PC-Komponenten, NVMe-Festplatte, Informatik
Samsung SSD 9100 PRO – Disque SSD Interne NVMe M.2 – 2 To
EIGENSCHAFTEN:
■ Marke:Samsung
■ Modèle : MZ-VAP2T0BW
■ Capacité : 2 To
■ Interface : PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0
■ Format : M.2 2280
■ Endurance : 1200 TBW
619,04 €Preise inklusive der geltenden Mehrwertsteuer.
Samsung SSD 9100 PRO – Performance et efficacité ultime
Des vitesses inégalées pour des performances extrêmes
Le Samsung 9100 PRO redéfinit la vitesse avec des performances époustouflantes. Grâce à la technologie PCIe 5.0, il offre
des vitesses de lecture séquentielle allant jusqu’à 14 800 Mo/s et d’écriture atteignant 12 500 Mo/s.[1]
Sa capacité à gérer jusqu’à 2 000K IOPS en lecture aléatoire [2] garantit une fluidité et une réactivité inégalées, même pour les tâches les plus exigeantes.
Une efficacité énergétique révolutionnaire
Le 9100 PRO surpasse ses prédécesseurs avec une efficacité énergétique exceptionnelle, offrant jusqu’à 1 822 Mo/s par Watt en lecture séquentielle [3].
Cette avancée technologique réduit la consommation d’énergie tout en maintenant des performances élevées, idéal pour les configurations nécessitant une optimisation thermique et énergétique.
Caractéristiques techniques
| Caractéristique | Détails |
|---|---|
| Benutzeroberfläche | PCIe 5.0 NVMe |
| Vitesse de lecture | Jusqu’à 14 800 Mo/s [1] |
| Vitesse d’écriture | Jusqu’à 12 500 Mo/s |
| Lecture aléatoire | 2 000K IOPS [2] |
| Efficacité énergétique | 1 822 Mo/s par Watt [3] |
[1] La vitesse de lecture séquentielle du 9100 PRO 4 To est de 14 800 Mo/s, celle du 990 PRO 4 To de 7 450 Mo/s.
[2] Input/output operations per second = opérations d’entrée-sortie par seconde.
[3] L’efficacité énergétique du 9100 PRO 2 To en lecture séquentielle et en écriture est respectivement de 1 822 et 1 703 Mo/s par Watt, celle du 990 PRO 4 To est respectivement de 1 221 et 1 255 Mo/s par Watt.
| Marke | Samsung |
| Modell | MZ-VAP2T0BW |
| Kapazität | 2 To |
| NAND | Samsung V NAND TLC (V8) |
| Benutzeroberfläche | PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 |
| Format | M.2 2280 |
| Cryptage | Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) |
| Sequentielles Lesen | 14 700 Mo/s |
| Sequentielles Schreiben | 13 400 Mo/s |
| Lecture aléatoire | 1 850 kIOPS |
| Écriture aléatoire | 2 600 kIOPS |
| DRAM Cache | 2 Go LPDDR4X |
| Endurance | 1 200 TBW |
| Consommation en lecture | 8,1 W |
| Consommation en écriture | 7,9 W |
| Intelligent TurboWrite 2.0 | 226 Go |
| EAN | 8806095811710 |
| Garantie | 5 ans |
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