Name: Samsung SSD 9100 PRO - Disque SSD Interne NVMe M.2 - 1 To
Brand: Samsung
SKU: ACD-01307
Price: 318.91 EUR
Availability: InStock

Samsung SSD 9100 PRO – Disque SSD Interne NVMe M.2 – 1 To

CHARAKTERYSTYKA:

■ Marka:Samsung
■ Modèle : MZ-VAP1T0BW
■ Capacité : 1 To
■ Interface : PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0
■ Format : M.2 2280
■ Endurance : 600 TBW

318,91 €Cena zawiera obowiązujący podatek VAT.

Samsung SSD 9100 PRO – Performance et efficacité ultime

Des vitesses inégalées pour des performances extrêmes

Le Samsung 9100 PRO redéfinit la vitesse avec des performances époustouflantes. Grâce à la technologie PCIe 5.0, il offre
des vitesses de lecture séquentielle allant jusqu’à 14 800 Mo/s et d’écriture atteignant 12 500 Mo/s.[1]

Sa capacité à gérer jusqu’à 2 000K IOPS en lecture aléatoire [2] garantit une fluidité et une réactivité inégalées, même pour les tâches les plus exigeantes.

Une efficacité énergétique révolutionnaire

Le 9100 PRO surpasse ses prédécesseurs avec une efficacité énergétique exceptionnelle, offrant jusqu’à 1 822 Mo/s par Watt en lecture séquentielle [3].

Cette avancée technologique réduit la consommation d’énergie tout en maintenant des performances élevées, idéal pour les configurations nécessitant une optimisation thermique et énergétique.

Caractéristiques techniques

Caractéristique	Détails
Interface	PCIe 5.0 NVMe
Vitesse de lecture	Jusqu’à 14 800 Mo/s [1]
Vitesse d’écriture	Jusqu’à 12 500 Mo/s
Lecture aléatoire	2 000K IOPS [2]
Efficacité énergétique	1 822 Mo/s par Watt [3]

[1] La vitesse de lecture séquentielle du 9100 PRO 4 To est de 14 800 Mo/s, celle du 990 PRO 4 To de 7 450 Mo/s.
[2] Input/output operations per second = opérations d’entrée-sortie par seconde.
[3] L’efficacité énergétique du 9100 PRO 2 To en lecture séquentielle et en écriture est respectivement de 1 822 et 1 703 Mo/s par Watt, celle du 990 PRO 4 To est respectivement de 1 221 et 1 255 Mo/s par Watt.

NISD : ACD-01307 Catégories : Komponenty komputerowe, Dysk NVMe, Informatyka

Marque	Samsung
Modèle	MZ-VAP1T0BW
Capacité	1 To
NAND	Samsung V NAND TLC (V8)
Interface	PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0
Format	M.2 2280
Cryptage	Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
Lecture séquentielle	14 700 Mo/s
Écriture séquentielle	13 300 Mo/s
Lecture aléatoire	1 850 kIOPS
Écriture aléatoire	2 600 kIOPS
DRAM Cache	1 Go LPDDR4X
Endurance	600 TBW
Consommation en lecture	7,6 W
Consommation en écriture	7,2 W
Intelligent TurboWrite 2.0	114 Go
EAN	8806095811628
Garantie	5 ans

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