CHARAKTERYSTYKA:
■ Marka:Samsung
■ Modèle : MZ-VAP1T0CW
■ Pojemność: 1 TB
■ Interfejs: PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0
■ Format: M.2 2280
■ Endurance : 600 TBW
336,61€
Dzień Samsung 9100 PRO na nowo definiuje pojęcie prędkości dzięki oszałamiającej wydajności. Dzięki technologia PCIe 5.0, oferuje
prędkości odczytu sekwencyjnego sięgające nawet 14 800 MB/s oraz pisania sięgającego 12 500 MB/s.[1]
Jego zdolność do obsługi nawet 2 000K IOPS w trybie odtwarzania losowego [2] zapewnia niezrównaną płynność działania i szybkość reakcji, nawet w przypadku najbardziej wymagających zadań.
Model 9100 PRO przewyższa swoje poprzednie wersje dzięki wyjątkowa efektywność energetyczna, oferując nawet 1 822 MB/s na wat w trybie odczytu sekwencyjnego [3].
To osiągnięcie technologiczne pozwala zmniejszyć zużycie energii przy zachowaniu wysokiej wydajności, co sprawia, że rozwiązanie to idealnie nadaje się do konfiguracji wymagających optymalizacji termicznej i energetycznej.
Le 9100 PRO est conçu pour minimiser la surchauffe tout en maintenant des performances stables grâce à un
dissipateur thermique conforme à la norme PCI-SIG D8 [4].
Ce design garantit une compatibilité maximale avec les systèmes compacts et une intégration simplifiée dans les configurations haut de gamme.
| Charakterystyka | Szczegóły |
|---|---|
| Interfejs | PCIe 5.0 NVMe |
| Prędkość odczytu | Do 14 800 MB/s [1] |
| Prędkość zapisu | Do 12 500 MB/s |
| Odtwarzanie losowe | 2 000K IOPS [2] |
| Efektywność energetyczna | 1 822 MB/s na wat [3] |
[1] Prędkość odczytu sekwencyjnego modelu 9100 PRO 4 TB wynosi 14 800 MB/s, a modelu 990 PRO 4 TB – 7 450 MB/s.
[2] Operacje wejścia/wyjścia na sekundę = operacje wejścia-wyjścia na sekundę.
[3] Efektywność energetyczna modelu 9100 PRO 2 TB w odczycie sekwencyjnym i zapisie wynosi odpowiednio 1 822 i 1 703 MB/s na wat, natomiast w przypadku modelu 990 PRO 4 TB wynosi odpowiednio 1 221 i 1 255 MB/s na wat.
[4] La norme PCI-SIG D8 définit une hauteur de dissipateur de chaleur de 8,8 mm ou moins.
| Marka | Samsung |
| Model | MZ-VAP1T0CW |
| Pojemność | 1 To |
| NAND | Samsung V NAND TLC (V8) |
| Interfejs | PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 |
| Format | M.2 2280 |
| Szyfrowanie | Klasa 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) |
| Odtwarzanie sekwencyjne | 14 700 MB/s |
| Zapis sekwencyjny | 13 300 Mo/s |
| Odtwarzanie losowe | 1 850 kIOPS |
| Losowy wpis | 2 600 kIOPS |
| Pamięć podręczna DRAM | 1 Go LPDDR4X |
| Wytrzymałość | 600 TBW |
| Zużycie energii podczas odtwarzania | 7,6 W |
| Zużycie podczas zapisu | 7,2 W |
| Intelligent TurboWrite 2.0 | 114 Go |
| EAN | 8806095811673 |
| Gwarancja | 5 lat |
Lenovo - Yoga Tab Plus (16Go 256Go) (Wi-fi) - Tidal Teal + Clavier et stylet 
Samsung – rysik S Pen do serii Galaxy Tab S9 – czarny 
Samsung Galaxy Tab S9 FE - 10,9" (27,7 cm) - 128 Go - Wi-Fi - Anthracite