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Komponenty komputerowe, Dysk NVMe, Informatyka
Samsung SSD 9100 PRO – Disque SSD Interne NVMe M.2 – 4 To + Dissipateur
CHARAKTERYSTYKA:
■ Marka:Samsung
■ Modèle : MZ-VAP4T0CW
■ Capacité : 4 To
■ Interface : PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0
■ Format : M.2 2280
■ Endurance : 2 400 TBW
1 222,20 €Cena zawiera obowiązujący podatek VAT.
Samsung SSD 9100 PRO – Performance et efficacité ultime
Des vitesses inégalées pour des performances extrêmes
Le Samsung 9100 PRO redéfinit la vitesse avec des performances époustouflantes. Grâce à la technologie PCIe 5.0, il offre
des vitesses de lecture séquentielle allant jusqu’à 14 800 Mo/s et d’écriture atteignant 12 500 Mo/s.[1]
Sa capacité à gérer jusqu’à 2 000K IOPS en lecture aléatoire [2] garantit une fluidité et une réactivité inégalées, même pour les tâches les plus exigeantes.
Une efficacité énergétique révolutionnaire
Le 9100 PRO surpasse ses prédécesseurs avec une efficacité énergétique exceptionnelle, offrant jusqu’à 1 822 Mo/s par Watt en lecture séquentielle [3].
Cette avancée technologique réduit la consommation d’énergie tout en maintenant des performances élevées, idéal pour les configurations nécessitant une optimisation thermique et énergétique.
Conception thermique optimisée
Le 9100 PRO est conçu pour minimiser la surchauffe tout en maintenant des performances stables grâce à un
dissipateur thermique conforme à la norme PCI-SIG D8 [4].
Ce design garantit une compatibilité maximale avec les systèmes compacts et une intégration simplifiée dans les configurations haut de gamme.
Caractéristiques techniques
| Caractéristique | Détails |
|---|---|
| Interface | PCIe 5.0 NVMe |
| Vitesse de lecture | Jusqu’à 14 800 Mo/s [1] |
| Vitesse d’écriture | Jusqu’à 12 500 Mo/s |
| Lecture aléatoire | 2 000K IOPS [2] |
| Efficacité énergétique | 1 822 Mo/s par Watt [3] |
[1] La vitesse de lecture séquentielle du 9100 PRO 4 To est de 14 800 Mo/s, celle du 990 PRO 4 To de 7 450 Mo/s.
[2] Input/output operations per second = opérations d’entrée-sortie par seconde.
[3] L’efficacité énergétique du 9100 PRO 2 To en lecture séquentielle et en écriture est respectivement de 1 822 et 1 703 Mo/s par Watt, celle du 990 PRO 4 To est respectivement de 1 221 et 1 255 Mo/s par Watt.
[4] La norme PCI-SIG D8 définit une hauteur de dissipateur de chaleur de 8,8 mm ou moins.
| Marque | Samsung |
| Modèle | MZ-VAP4T0CW |
| Capacité | 4 To |
| NAND | Samsung V NAND TLC (V8) |
| Interface | PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 |
| Format | M.2 2280 |
| Cryptage | Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) |
| Lecture séquentielle | 14 800 Mo/s |
| Écriture séquentielle | 13 400 Mo/s |
| Lecture aléatoire | 2 200 kIOPS |
| Écriture aléatoire | 2 600 kIOPS |
| DRAM Cache | 4 Go LPDDR4X |
| Endurance | 2 400 TBW |
| Consommation en lecture | 9,0 W |
| Consommation en écriture | 8,2 W |
| Intelligent TurboWrite 2.0 | 442 Go |
| EAN | 8806095811659 |
| Garantie | 5 ans |
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