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Samsung SSD 9100 PRO - Disque SSD Interne NVMe M.2 - 2 To
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Samsung SSD 9100 PRO – Disque SSD Interne NVMe M.2 – 2 To

CARACTÉRISTIQUES :

■ Marque :Samsung
■ Modèle : MZ-VAP2T0BW
■ Capacité : 2 To
■ Interface : PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0
■ Format : M.2 2280
■ Endurance : 1200 TBW

619,04€ ᴛᴛᴄ

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Samsung SSD 9100 PRO – Performance et efficacité ultime

Des vitesses inégalées pour des performances extrêmes

Le Samsung 9100 PRO redéfinit la vitesse avec des performances époustouflantes. Grâce à la technologie PCIe 5.0, il offre
des vitesses de lecture séquentielle allant jusqu’à 14 800 Mo/s et d’écriture atteignant 12 500 Mo/s.[1]

Sa capacité à gérer jusqu’à 2 000K IOPS en lecture aléatoire [2] garantit une fluidité et une réactivité inégalées, même pour les tâches les plus exigeantes.

Une efficacité énergétique révolutionnaire

Le 9100 PRO surpasse ses prédécesseurs avec une efficacité énergétique exceptionnelle, offrant jusqu’à 1 822 Mo/s par Watt en lecture séquentielle [3].

Cette avancée technologique réduit la consommation d’énergie tout en maintenant des performances élevées, idéal pour les configurations nécessitant une optimisation thermique et énergétique.

Caractéristiques techniques

Caractéristique Détails
Interface PCIe 5.0 NVMe
Vitesse de lecture Jusqu’à 14 800 Mo/s [1]
Vitesse d’écriture Jusqu’à 12 500 Mo/s
Lecture aléatoire 2 000K IOPS [2]
Efficacité énergétique 1 822 Mo/s par Watt [3]

[1] La vitesse de lecture séquentielle du 9100 PRO 4 To est de 14 800 Mo/s, celle du 990 PRO 4 To de 7 450 Mo/s.
[2] Input/output operations per second = opérations d’entrée-sortie par seconde.
[3] L’efficacité énergétique du 9100 PRO 2 To en lecture séquentielle et en écriture est respectivement de 1 822 et 1 703 Mo/s par Watt, celle du 990 PRO 4 To est respectivement de 1 221 et 1 255 Mo/s par Watt.

NISD : ACD-01308 Catégories : , ,
Marque Samsung
Modèle MZ-VAP2T0BW
Capacité 2 To
NAND Samsung V NAND TLC (V8)
Interface PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0
Format M.2 2280
Cryptage Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
Lecture séquentielle 14 700 Mo/s
Écriture séquentielle 13 400 Mo/s
Lecture aléatoire 1 850 kIOPS
Écriture aléatoire 2 600 kIOPS
DRAM Cache 2 Go LPDDR4X
Endurance 1 200 TBW
Consommation en lecture 8,1 W
Consommation en écriture 7,9 W
Intelligent TurboWrite 2.0 226 Go
EAN 8806095811710
Garantie 5 ans

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